سامانه مدیریت نشریات علمی دانشگاه کاشان

دارم, زهرا, شیرانی بیدآبادی, بابک, گلشاه, سعید. (1401). بررسی اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی ترانزیستور و دیود سیلیکونی برای کاربرد در دزیمتری دزهای بالا. سامانه مدیریت نشریات علمی, 11(شماره 4), 89-92.
زهرا دارم; بابک شیرانی بیدآبادی; سعید گلشاه. "بررسی اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی ترانزیستور و دیود سیلیکونی برای کاربرد در دزیمتری دزهای بالا". سامانه مدیریت نشریات علمی, 11, شماره 4, 1401, 89-92.
دارم, زهرا, شیرانی بیدآبادی, بابک, گلشاه, سعید. (1401). 'بررسی اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی ترانزیستور و دیود سیلیکونی برای کاربرد در دزیمتری دزهای بالا', سامانه مدیریت نشریات علمی, 11(شماره 4), pp. 89-92.
دارم, زهرا, شیرانی بیدآبادی, بابک, گلشاه, سعید. بررسی اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی ترانزیستور و دیود سیلیکونی برای کاربرد در دزیمتری دزهای بالا. سامانه مدیریت نشریات علمی, 1401; 11(شماره 4): 89-92.

بررسی اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی ترانزیستور و دیود سیلیکونی برای کاربرد در دزیمتری دزهای بالا

مجله سنجش و ایمنی پرتو
مقاله 18، دوره 11، شماره 4 - شماره پیاپی 44، اسفند 1401، صفحه 89-92    اصل مقاله (654 K)
نوع مقاله: مقاله کنفرانسی
نویسندگان
زهرا دارم1؛ بابک شیرانی بیدآبادی* 1؛ سعید گلشاه2
1دانشکده فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان، ایران
2پژوهشکده مواد و انرژی، پژوهشگاه فضایی ایران، وزارت ارتباطات و فناوری اطلاعات، اصفهان، ایران
چکیده
در این مقاله، اثر تابش گاما روی خواص ترانزیستورهای دوقطبی و ماسفت و دیودهای شاتکی و معمولی برای دزیمتری بررسی و مقایسه شده است. برای پرتودهی گاما از دستگاه گاماسل حاوی چشمه کبالت 60 با فعالیت 5770 کوری واقع در سازمان انرژی اتمی تهران استفاده شد. آزمایش‌ها برای پرتودهی قطعات تحت دزهای 2، 4، 8، 16 و 32 کیلوگری انجام شدند. نتایج نشان داد که پرتودهی گاما در این محدوده دز، به‌طور قابل توجهی بر پارامترهای قطعات الکترونیکی تأثیرگذار است. منحنی تغییرات دز نسبت به جریان خطی است. دزیمترهای فردی را می‌توان به دو دسته فعال و غیرفعال تقسیم‌بندی کرد. در دزیمترهای غیرفعال فردی از آشکارسازهایی که توان نگهداری داده‌های ثبت شده برای مدت زمان طولانی را دارند استفاده می‌شود. آشکارسازهای حالت جامد ردپای هسته‌ای و گرمالیانی از مهم‌ترین گزینه‌های مورد استفاده، دزیمترهای غیرفعال هستند [1-3]. با رشد و پیشرفت فناوری مواد نیم‌رسانا به‌ویژه سیلیسیم، دزیمترهای فعال فردی گاما بر پایه سیلیسیم توسعه‌ی خوبی یافته و آن‌ها به‌جای فیلم بج های غیرفعال گاما مورد استفاده قرار گرفته‌اند. ترانزیستورها و دیودهای سیلیسیمی به‌دلیل داشتن حجم کوچک، وزن کم، ولتاژ کاری پایین، قدرت تفکیک انرژی خوب، عملکرد ساده و سهولت حمل، بهترین ابزار برای استفاده به‌عنوان آشکارساز در دزیمتر فعال فردی گاما هستند [4-5].
کلیدواژه‌ها
آسیب تابشی؛ دزیمتری؛ تابش گاما؛ چشمه کبالت 60؛ حساسیت دزیمتر
مراجع
  1. S. A. Durrani, R. K. Bull. Solid State Nuclear Track Detection Principles Methods and Applications. Pergamon Press, UK, 1987.
  2. H. Zaki Dizaji, M. Shahriari, G. R. Etaati. Monte Carlo Calculation of CR-39 efficiency for fast neutron detection using a combination of MCNP and SRIM codes, and comparison with experimental results. Radiat. Meas. 42 (2007) 1332-1334.
  3. G. F. Knoll. Radiotion Detection and Measurement. John Wiley Press, New York, 1989.
  4. T. Nunomiya, S. Abe, K. Aoyama, T. Nakamura. Development of advanced-type multi-functional electronic personal dosemeter. Radiat. Prot. Dosim. 126 (2007) 284-287.
  5. M. Wielunski, R. Schutz, E. Fantuzzi, A. Pagnamenta, W. Wahl, J. Palfalvi, P. Zombori, A. Andrasi, H. Stadtmann, Ch. Schmitzer. Study of the sensitivity of neutron sensors consisting of a converter plus Si charged-particle detector. Nucl. Instr. Meth. A 517 (2004) 240-253.
  6. A. M. H. Abaza. New trend in radiation dosimeters. Amer. J. Modern Phys. 7 (2018) 21-30.
  7. J. Ma, J. T. W. Yeowa, J. C. L. Chow, R. B. Barnett. A carbon fiber-based radiation sensor for dosimetric measurement in radiotherapy. Carbon 46 (2008) 1869-1873.
  8. V. S. S. Srinivasan, A. Pandya. Feasibility study of thin film Al/SnOx/n-Si gate stack for gamma radiation dosimetry. Radiat. Measurements 44 (2009) 325–327.
  9. H. N. Raval, S. P. Tiwari, R. R. Navan, V.R. Rao. Determining ionizing radiation using sensors based on organic semiconducting material. Appl. Phys. Letters 94 (12) (2009) 123304.
  10. I. S. Kwan, A. B. Rosenfeld, Z. Y. Qi, D. Wilkinson, M. L. F. Lerch, D. L. Cutajar, M. Safavi-Naeni, M. Butson, J. A. Bucci, Y. Chin, V. L. Perevertaylo. Skin dosimetry with new MOSFET detectors. Radiat. Measurements 43 (2008) 929-932.
  11. V. S. S. Srinivasan, A. Pandya. Dosimetry aspects of hafnium oxide metal-oxide semiconductor (MOS) capacitor. Thin Solid Films 520 (2011) 574-577.
  12. T. R. Oldham. Total ionizing dose effect in MOS oxides and devices. IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 (3) (2003) 483-499.
آمار
تعداد مشاهده مقاله: 642
تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 493